硅基自旋量子比特技术研究进展

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wwfkl
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
量子芯片是运用量子力学基本原理构建实用化计算机的基础.各国研究团队通过近几年的卓越研究工作,将硅基量子比特芯片技术发展成量子计算的核心方向之一.文章重点归纳了Si自旋量子比特的主要类型,分析了可靠量子计算实现所要求的高保真度、长程耦合等指标的关键技术.这些技术的研究表明,硅是一个能实现全面量子计算发展的可行平台.
其他文献
采用低压铸造制备了 WE43镁合金,使用OM、SEM、EDS研究了热处理前后合金的显微组织及元素分布情况,并对其力学性能进行测试,分析热处理对其力学性能的影响.结果表明,WE43镁合
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源.首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压
对DN80离心球墨铸管关键工艺如熔炼、球化、离心浇注、退火等进行了详细阐述.DN80离心球墨铸管采用5 t无芯工频电炉熔炼,出铁前为防止球化衰退按25 kg/t加入硅铁合金,浇注采
采用三级2阶N路径滤波单元设计了一种带谐波抑制功能的高阶有源N路径带通滤波器.在第二、三级之间插入负电阻和回转器,可提高滤波器的Q值、带宽和线性度;在末级的串联型2阶N
基于降压型结构,设计了一种高精度的恒流LED驱动电路.在滞环控制模式的基础上,采用一种新型的自适应关断时间控制环路替代谷值检测反馈环路,间接地实现了对电感电流谷值的精
提出了一种2阶小阻尼系数负载的快速补偿驱动方法.根据2阶系统传递函数,对2阶小阻尼系数负载的驱动信号进行变换,将具有相同衰减振荡周期的正、负向阶跃响应进行不同时间点的
设计了一种无均流外环并联DC-DC变换器,采用平均电流模式控制,通过控制最大编程电感电流,实现并联变换器的精确均流.采用小信号模型分析了并联变换器的均流误差和稳定性,电路