一种无电阻高精度基准电压源

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基于TSMC 0.18 μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源.利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿.与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度.仿真结果表明,当温度在-55℃~125℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10-7/℃.在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB.当电源电压在2.5~5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V.
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