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对ＡＩＮ陶瓷基板进行了减压直流等离子体喷涂镀Ａｌ，在基板表面形成厚度约２μｍ的金属Ａｌ薄层，实现了Ａｌ与ＡＩＮ的良好接合．对原基板和镀 Ａｌ后的基板进行了氧化处理，并以两块基板的处理面相对．中间夹以纯 Ｃｕ片，在 １．３×１０－３ ｐａ的真空中 １３５６ Ｋ条件下进行了接合、探讨了基板处理条件对其与金属 Ｃｕ的接合性能的影响．结果表明．在 ＡＩＮ基板上喷涂 Ａｌ后、经过１１７３ Ｋ空气中 ２４ ｈ处理、在基板表面形成了均匀且与基体附着良好的 Ａｌ２Ｏ３层、可以有效地改善 Ｃｕ与 ＡＩＮ基板的接合性能