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采用射频（radio frequency，RF，13.56MHz）和直流偏压双重激励源，在等离子增强化学气相沉积（plasma-cnhanced chemical vapor deposition，PECVD）系统下制备了康宁玻璃7059衬底上的氢化纳米硅薄膜保持射频功率、反应室气压、直流偏压值和衬底温度等工艺参数不变的情况下，主要改变硅烷稀释度（silanc concentration．sc）从1％到0．5％当SC减小时，薄膜的晶态比Xc反而出现了增大现象，表明较低的SC有利于薄膜结构中晶态成分的形成．