采用射频（radio frequency，RF，13.56MHz）和直流偏压双重激励源，在等离子增强化学气相沉积（plasma-cnhanced chemical vapor deposition，PE......

利用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅（nc-Si∶H）薄膜。其中衬......