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碳多孔体中碳化硅晶须的原位生长
碳多孔体中碳化硅晶须的原位生长
来源 :耐火材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yxzapricot
【摘 要】
:
根据碳化硅晶须生长的特定驱动力要求,运用多孔体中气相传输模型预测了碳化硅晶须厚位生长的条件。预测结果与实验结果一致。
【作 者】
:
陈康华,肖泽强
【机 构】
:
东北大学
【出 处】
:
耐火材料
【发表日期】
:
1994年3期
【关键词】
:
碳多孔体
碳化硅
晶体生长
晶须
固态反应
carbon matrix composite
silicon carbide
crystal growth
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根据碳化硅晶须生长的特定驱动力要求,运用多孔体中气相传输模型预测了碳化硅晶须厚位生长的条件。预测结果与实验结果一致。
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