论文部分内容阅读
基于第一性原理密度泛函理论计算,研究了发光基质材料 BaMoO4的结构、电子和光学性质.电子结构计算显示BaMoO4是一个宽带隙半导体,光学吸收谱显示在近紫外区存在一个 2 73 nm 的强吸收峰,其紫外响应特性满足现代 LED制作工艺的需求.BaMoO4光学响应的物理根源来自于 MoO4基团中的 O 原子的p 轨道到Mo原子d 轨道的激发.