【摘 要】
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作者研究了在辐射加固的Si器件中用于Si表面钝化的双层介质膜。与称为双层SiO_2膜的CVD-SiO_2/SiO_2膜相比,Si_3N_4/SiO_2和PSG/SiO_2双层介质膜表现出对电离辐射具有较低的
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作者研究了在辐射加固的Si器件中用于Si表面钝化的双层介质膜。与称为双层SiO_2膜的CVD-SiO_2/SiO_2膜相比,Si_3N_4/SiO_2和PSG/SiO_2双层介质膜表现出对电离辐射具有较低的灵敏度。然面,Si_3N_4/SiO_2和PSG/S_1O_2膜比双层SiO_2膜表现出大得多的初始界面态密度。作者还研究了后氧化退火对辐射引起的界面态的影响。采用了双层SiO_2膜来实现辐射容限大于1兆拉德(硅)的IIL器件。
The authors studied bilayer dielectric films for Si surface passivation in radiation-reinforced Si devices. Compared to CVD-SiO 2 / SiO 2 films, which are called double-layer SiO 2 films, the double-layer Si 3 N 4 / SiO 2 and PSG / SiO 2 films show lower sensitivity to ionizing radiation. However, the Si_3N_4 / SiO_2 and PSG / S_1O_2 films exhibited a much larger initial state density than the double-layer SiO_2 films. The authors also studied the effect of post-oxidation anneal on the radiation-induced interface state. A double-layered SiO 2 film was used to achieve an IIL device with a radiation margin greater than 1 Mrad (silicon).
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