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摘要：基于Pramoda Kumar等人文章中关于向列相液晶反转壁中＋1缺陷处挠曲电效应的实验现象，我们利用Landau-de Gennes理论给出相应的理论分析。当对弱锚定的平行排列向列相液晶盒施加垂直基板的直流电压，在反转壁中的±1缺陷会发生旋转。对于其中的＋1缺陷，我们给出了外加电场作用下液晶分子的自由能表达式并通过模拟描述指向矢的方位角和极角的变化情况给出相应的缺陷处电场驱动的结构变化。模拟结果给出的挠曲电效应引起的方位角的变化角度与PramodaKumar等人的实验得到的在＋1缺陷处消