【摘 要】
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利用深能级瞬态谱(DLTS)证实:经染料脉冲激光辐照,红宝石脉冲激光辐照,连续Nd:YAG激光辐照的P型硅样品,存在深中心缺陷,主要是:(E_v+0.14cV)、(Ev+ 0.19eV)和(Ev+ 0.24eV).从
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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利用深能级瞬态谱(DLTS)证实:经染料脉冲激光辐照,红宝石脉冲激光辐照,连续Nd:YAG激光辐照的P型硅样品,存在深中心缺陷,主要是:(E_v+0.14cV)、(Ev+ 0.19eV)和(Ev+ 0.24eV).从这些深中心缺陷的不同淬火和退火行为,可以认为缺陷中心主要是样品在激光退火过程中产生的过饱和空位所形成的,而且可能是与某种大空位团有关.
It was confirmed by deep-level transient spectroscopy (DLTS) that there were deep center defects in P-type silicon samples irradiated by dye-pulsed laser irradiation, ruby pulsed laser irradiation and continuous Nd: YAG laser irradiation, mainly: (E_v + 0.14 (Ev + 0.19eV), and (Ev + 0.24eV) .From the different quenching and annealing behavior of these deep center defects, it can be considered that the defect center is mainly formed by supersaturated vacancies generated by the sample in the laser annealing process and may be Is related to some kind of big vacant group.
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