少数载流子寿命相关论文
本文通过介绍太阳能电池用晶体硅现行各级标准整体现状，着重分析了现行太阳能电池用晶体硅产品标准及检测方法标准中存在的问题，并提......
本文评论了现有通用的测量和评价晶体硅太阳电池器件和材料的几种常用方法,内容包括模拟阳光下太阳电池的性能参数、电池内部参数......
利用脉冲触发信号在半导体中产生非平衡态载流子的方式，提出一种使用太赫兹连续源和超快速响应探头测量半导体少数载流子寿命的方法......
Improved hetero-interface passivation by microcrystalline silicon oxide emitter in silicon heterojun
在这份报纸，我们准备了硅异质接面(SHJ ) 有 p-c-Si/i-a-SiO <sub> x </sub>:H/n-c-SiO<sub> x </sub>:H 的结构的太阳能电池(a-SiO......
我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退......
文章介绍了ＧａＡｓ太阳电池辐照效应的研究状况，简述了研究中常用的方法及重要的结论。现有的研究结果表明，ＧａＡｓ太阳电池性能的退化与辐照粒子的......
本文介绍一种简便实用的测量少数载流子寿命的新方法－ＭＯＳ电容测量法。它对测量样品的要求不高，可在生产过程中实时测量，测量方法、数据处......
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特......
从理论上对n~(+)在p上和p在n上的HgcdTe光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机理控制的热发生的结......
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ......
首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方......
本文报导了关于高阻 Ｎ 型区熔（ Ｆ Ｚ） Ｎ Ｔ Ｄ－ Ｓｉ－ Ｐ＋ Ｎ 结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５ 个缺陷能级： Ｅ１ ＝ ０ ．１６ｅ Ｖ， Ｅ２ ＝ ０ ．２７ｅ Ｖ， Ｅ３ ＝ ０ ．３１ｅ Ｖ， Ｅ４ ＝ ０ ．３７ｅ Ｖ 和 Ｅ５ ＝ ０ ．４２ｅ Ｖ．结果......
本文介绍我们在利用分子束外延技术生长HgCdTe材料方面对改进材料质量、重复性和柔软性所取得的进展。根据一定的判断标准,对超过1......
原电子工业部第46研究所长期承担抗辐射加固硅单晶制备技术研究任务,曾取得一系列成果,其研究水平和产品均居国内领先,是我国唯一......
介绍了用微波反射法测量HgCdTe中的少数载流子寿命 ,分析了其测量原理 ,并与接触式的光电导衰减法进行了对比。
The minority car......
本文对N型(111)高阻、P型(111)和N型(100)低阻硅单晶,进行了热处理实验,研究了氧含量和热处理温度对无位错硅单晶的电阻率、寿命和......
利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现,反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts......
近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10......
建立了调制激光诱发硅晶圆少数载流子密度波一维模型,仿真分析了少数载流子输运参数对调制激光诱发载流子辐射信号频域响应的影响.......
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红......
本文概述 Si—LiX 射线探测器用优质悬浮区熔硅单晶的研制,着重叙述如何降低区熔硅单晶中的氧含量的试验。探索出降低区熔硅单品氧......
1869年俄国著名化学家门捷列夫(Dmitri Mendeleev)首创了著名的化学元素周期律。1871年门捷列夫在研究元素周期表时,就预感在硅和......
为了制造性能优良的面垒型辐射探测器,需要具有高电阻率、杂质分布均匀的优质 N 型硅单晶。中子嬗变掺杂(neutron transmutation ......
用中子嬗变掺杂(NTD)方法制备探测器级N型硅单晶的关键之一是在热处理过程中保持和提高硅单晶的少子寿命。本文介绍用扩散炉退火,......
本文着重介绍了硅蓝光电池基本原理及其设计考虑.具体分析了影响硅蓝光电池短波长响应的主要因素,同时提出了改善短波长响应的可行......
提要控制降低高频硅功率整流器和半导体开关元件内少数载流子寿命,已经成为可能。关于用0.8～12兆电子伏能量的电子和Co~(60)γ射线,......
少数载流子寿命τ是一项重要的材料参数,有利于鉴别电子—空穴复合性质。本文报导1.3μm波长的四元有源层τ的测量。该层是由液相......
一、前言直拉硅单晶中的氧原子,一般含量为10~17～10~18厘米~(-3),这些氧原子一方面能抑制器件制作过程中位错的产生;另一方面能通......
本文讨论了大功率硅整流元件的几个参数之间的关系,指出设计参数的关键是提高少数载流子的寿命。在分析了影响少数载流子的各种因......
常规的扩散和离子注入加热退火形成P—N结的方法,都涉及到长时间的高温处理,这会导致半导体材料的少数载流子寿命降低,产生二次诱......
利用平面工艺和二氧化硅层掩膜区域扩散,在同一衬底上,形成十个独立的P—n结光电二极管,从而得到线列阵器件。其光谱响应范围为0.3......
研究了在低温时用超高真空升华方法沉积的均匀外延硅膜和结的结构及电特性。对硼和磷掺杂硅源升华的外延层扩展电阻的测定表明,外......
虽然高能(能量从0.5MeV到12MeV)电子束辐照对晶体二极管反向恢复时间的影响已有研究,但低能(能量在20KeV以下)电子束辐照对晶体管......
电荷耦合的概念简单而又极其实用,是以电荷包在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的转移为基础的。将简单的电荷耦合器件(CCD)与各种......
连续电子束退火是继激光退火之后出现的一种更有希望的离子注入层退火新工艺。DT-1型连续电子束退火实验装置是我国第一台连续电......
用强度可调制的光照射肖特基接触,对其短路光电流与频率的关系进行了研究。从光电流的幅度和相移都可得到在接触下面的层中的少数......
美帝国际商业机器公司,在掺金双圾晶体管的制作方面,由于采用砷代替过去使用的磷杂质,因而不仅提高了载止频率,而且也提高了成品......
用公式阐明了一种模型以说明暗电流(J_D)的主要来源,J_D是异质结肖特基(schottky)栅电荷耦合器件(CCD)单像素上的暗电流。这个模型......
本文综合介绍了一种以文献[1]为主的同轴结构高次倍频器的工程设计方法。其中有关同轴带通滤波器中心频率的设计方法,则是引用了文......
由测量Al_(0.12)Ga_(0.88)As-Al_(0.47)Ca_(0.53)As双异质结构的量子效率,确定有源区及其界面的有效非辐射载流子寿命。由有效非辐......
