Y^3+掺杂ZnO压敏陶瓷的微结构和电性能研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuzhonghai01
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采用两步烧结法制备了Y^3+掺杂的(以Y(NO3)3·6H2O形式加入)ZnO压敏陶瓷,通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y^3+掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响。结果表明:随着Y^3+掺杂量的增加,电位梯度VT和非线性系数α提高,晶粒尺寸减小,施主浓度Nd和晶界态密度Ns降低,势垒宽度ω增大。当掺杂的x[Y(NO3)3·6H2O]为1.2%、烧结温度为1100℃时,ZnO压敏陶瓷电性能最好,其h为675V/mm,妫63.9,漏电流IL为2.40μA。
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