全氟化碳的问题是否真已解决?

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半导体业界传统采用C2F6和CF4之类的全氟化碳(PFC)气体清洁化学气相沉积(CVD)腔体这种气体在工艺腔的等离子体区分解,生成高活性氟原子团,与腔壁和设备其他部位的工艺沉积物发生反应,形成不稳定的氟化气体,随后被抽走。只有小部分的清洁气体(一般约为30%)真正参与了腔体清洁反应,其他气体仅仅只是通过排气装置——排人大气中。但已有大量文献可以证明C2F6和CF4具有全球变暖效应。
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