【摘 要】
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微机械（MEMS）工艺和集成电路（IC）工艺中，在硅（Si）片上电铸高深宽比坡莫（NiFe）合金材料常出现脱落现象．提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法，这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,中国科学院研究生院
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微机械（MEMS）工艺和集成电路（IC）工艺中，在硅（Si）片上电铸高深宽比坡莫（NiFe）合金材料常出现脱落现象．提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法，这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落．此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜（Cu），然后对种子层进行电镀，当其厚度达到约15μm时，再进行NiFe合金的电铸．本文用扫描电镜、x射线衍射仪和剥离实验研究了薄膜粘附特性．研究结果表明当对种子层电镀后，随着Cu种子层厚度的增加，Cu／NiFe薄膜与基体的粘附强度增加，而薄膜的残余应力降低；同时C
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