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期刊论文
半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火
半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhoubo1204
【摘 要】
:
本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El
【作 者】
:
谢自力
陈宏毅
【机 构】
:
南京电子器件研究所,南京电子器件研究所南京210016,南京210016,南京210016
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1993年4期
【关键词】
:
半绝缘
砷化镓
整锭热退火
均匀性
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本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高.
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