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等离子辅助化学气相沉积（PECVD）腔室的气流分布、温度分布是影响薄膜沉积工艺均匀性以及沉积速率的重要原因之一。本文对PECVD腔室气流建立连续流体和传热模型,研究了腔室内流场和温度分布特性;讨论了四种不同稳流室结构的PECVD腔室,在加热盘恒温400℃、质量流量5000 sccm、抽气口压力133 Pa的工艺条件下12英寸晶圆片附近上方流速、压力、温度分布情况;选择了其中一种稳流室结构作了多种质量流量（20～5000 sccm）入口条件下的流场分析。仿真研究发现：在抽气口位置偏置的情况下,四种不同稳流室