单晶氮化硅纳米线的合成制备与光致发光性能研究

来源 :齐鲁工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pausecn
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本文采用氮气保护高能球磨及硅粉直接氮化工艺制备高纯、单晶氮化硅纳米线。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和激光共聚焦显微拉曼光谱仪对实验产物的物相结构、微观结构及光学性能进行分析。在室温下使用325nm激光对样品进行激发,观察到样品具有较宽的发射光谱,波长范围为350~670nm;发光光谱中存在三个由缺陷跃迁引起的发光峰。
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