【摘 要】
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采用基于密度泛涵理论的第一性原理赝势法对石墨晶体嵌锂的几何结构、电子结构和平均嵌入电压进行了比较系统的研究。研究表明,双层石墨通过改变C-C层间距和C-C键长来达到最
【机 构】
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江西师范大学物理与通信电子学院,江西省光电子重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（10605023）, 江西省教育厅科技项目（GJJ10398）
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采用基于密度泛涵理论的第一性原理赝势法对石墨晶体嵌锂的几何结构、电子结构和平均嵌入电压进行了比较系统的研究。研究表明,双层石墨通过改变C-C层间距和C-C键长来达到最稳定的状态。电子结构分析表明,石墨及嵌锂石墨是良好的导体。随着石墨嵌锂数的增加,平均嵌入电压降低,当嵌锂状态达到Li6C 36时,其平均嵌入电压接近0 V,说明LiC 6是石墨嵌锂的理论极限,结果和实验吻合。
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