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期刊论文
大规模集成电路抗热载流子设计
大规模集成电路抗热载流子设计
来源 :电子与封装 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yang97yang
【摘 要】
:
文章主要介绍了热载流子效应机理及产生原因,从其机理出发着重介绍了抗热载流子效应的设计方法。影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输
【作 者】
:
姜立娟
赵峰
唐拓
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第四十七研究所
【出 处】
:
电子与封装
【发表日期】
:
2008年4期
【关键词】
:
热载流子
可靠性设计
CMOS集成电路
hot-carrier reliability designCMOS-circuit
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文章主要介绍了热载流子效应机理及产生原因,从其机理出发着重介绍了抗热载流子效应的设计方法。影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研究,文章提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。
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