【摘 要】
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传统的去膜工艺不能够完全清除干膜微孔底部的残留物,导致干膜微孔生长电镀铜柱的均匀性较差.本文引入O2/CF4等离子对干膜微孔进行清除处理,对比研究了等离蚀刻处理前后干膜
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,奈电软性科技电子（珠海）有限公司,四川英创力电子科技有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金（61240055,61604034）
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传统的去膜工艺不能够完全清除干膜微孔底部的残留物,导致干膜微孔生长电镀铜柱的均匀性较差.本文引入O2/CF4等离子对干膜微孔进行清除处理,对比研究了等离蚀刻处理前后干膜表面的形貌、表面元素、表面粗造度、浸润性,考察了干膜微孔电镀铜柱底部的均匀性.结果表明,经O2/CF4等离子处理后,干膜表面粗糙度变大,干膜微孔内的残留得到有效的清除,干膜微孔所生长的铜柱底部表现出更好的均匀性.
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