PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究

来源 :中国机械工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yilongfengyue5656

【摘要】

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运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制

【作者】

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郭辉王煜张海霞田大宇张国炳李志宏

【机构】

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北京大学

【出处】

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中国机械工程

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

：

微机电系统碳化硅等离子体增强化学气相淀积薄膜应力离子注入抗腐蚀

【基金项目】

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北京市自然科学基金资助项目(4052017)

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运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护.

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