烧结工艺对ITO靶材致密度与电阻率的影响

来源 :粉末冶金材料科学与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Z12456879

【摘要】

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以等离子电弧法制备的铟-锡氧化物（indium-tin oxide,ITO）纳米粉末为原料,采用冷等静压-烧结工艺制备ITO靶材,用排水法和涡流导电仪分别对ITO靶材的致密度和电阻率进行测量,研

【作者】

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张明杰陈敬超彭平于杰

【机构】

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昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室,云南省新材料制备与加工重点实验室

【出处】

：

粉末冶金材料科学与工程

【发表日期】

：

2015年4期

【关键词】

：

烧结温度升温速率烧结时间气氛压力电阻率

【基金项目】

：

新国家自然科学联合基金资助项目(u0837601);新国家基金资助项目(50874054);云南省稀贵金属微结构与性能创新团队项目(2009CI003);云南省自然科学基金资助项目(2008CD087)

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以等离子电弧法制备的铟-锡氧化物（indium-tin oxide,ITO）纳米粉末为原料,采用冷等静压-烧结工艺制备ITO靶材,用排水法和涡流导电仪分别对ITO靶材的致密度和电阻率进行测量,研究烧结温度、升温速率、烧结时间以及气氛压力对靶材致密度和电阻率的影响。结果表明,在烧结温度为1 550℃、升温速率为500℃/h、烧结时间8 h、氧气气氛压力为0.02 MPa条件下制备的ITO靶材致密度和电阻率分别为99.54%和1.829×10-4？·cm,能够满足高端光伏、液晶显示屏（LC

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