耐高压的电导率调制型MOSFET

来源 :电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lzg31142003

【摘要】

：

<正> 日本东芝综合研究所采用固相外延技术,研制成电导率调制型MOSFET(IGBT),其集电极-发射极间耐压高达1800V,集电极额定电流为10A.使用固相外延技术,能在比扩散法还短的时

【作者】

：

吴茂林

【出处】

：

电子技术

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

MOSFET 电导率调制耐高压

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<正> 日本东芝综合研究所采用固相外延技术,研制成电导率调制型MOSFET(IGBT),其集电极-发射极间耐压高达1800V,集电极额定电流为10A.使用固相外延技术,能在比扩散法还短的时间内形成功率元件所必需的深结.新研制的IGBT用于交流电压500V的变换电路时,工作频率能提高到20kHz;集电极电流为10A和100A,断开时的下降时间分别为450ns和300ns.这个元件能断开150A的峰值电流.

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