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在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.
电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片
【摘 要】
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在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国工程物理研究院激光聚变研究中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年6期
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