论文部分内容阅读
制作了反向饱和电流为5．5×10^14 A／cm^2，势垒高度为1．18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器．测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度，响应度随反向偏压无显著变化，零偏压下峰值响应度在波长358．2nm处达到了0．214A／W．利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面，测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性，相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0．6％．光子能量在禁带边沿附近的光束照射下，GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象，这种现象在肖