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为了比较不同热处理方式及工艺对TiN薄膜结构和性能的影响，在真空条件下、300~900℃范围内，对采用非平衡磁控溅射方法在单晶硅基底上沉积TiN薄膜后进行了热处理实验，考查了热处理模式（不同升温速率）和温度对薄膜结构和性能的影响．利用X射线衍射仪（XRD）对薄膜微结构进行表征，并利用扫描电镜观察了不同热处理模式下薄膜的表面形貌．同时，对不同工艺下薄膜的硬度、表面粗糙度和电阻率进行了表征．结果表明，薄膜经过热处理后，其晶体结构、择优取向、硬度、粗糙度和电阻率发生明显变化，并且随着热处理模式和温度的不同而产生