【摘 要】
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考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为。结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1%时腐蚀电位最低。在此基础上使用光催化氧化法能够显著
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津市电子材料与器件重点实验室
【基金项目】
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河北省高层次人才资助项目百人计划项目(E2013100006)
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考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为。结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1%时腐蚀电位最低。在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN材料的腐蚀速率进一步提高。CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN在1%KBrO3溶液(pH=4)中的抛光速率提高,而再加入光催化剂二氧化锡(SnO2)会使得GaN材料的抛光速率进一步提高。当KBrO3质量分数为1%,pH=4时加入紫外光和0.2%(质量分数)SnO2,GaN材料的抛光速率可达502
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