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用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜.通过改变O2/Ar比,制备出不同组分和结构的CeO2-x薄膜.用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+的浓度.XRD和AFM分析表明,薄膜经空气中高温退火后,形成了立方体CaF2型小晶粒,晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.
新型氧敏CeO2-x薄膜的制备及结构研究
【摘 要】
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用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜.通过改变O2/Ar比,制备出不同组分和结构的CeO2-x薄膜.用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+的浓度.XRD和AFM分析表明,薄膜经空气中高温退火后,
【机 构】
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北京科技大学材料物理系,中国科学院物理研究所
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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福特-中国研究和发展基金;
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