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在优化后的磁控溅射和退火条件下，制备SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜.实验结果表明，Sm摩尔分数为31.6 ％，Cr缓冲层为66 nm，Sm(Co,Al,Si)5磁性层为30 nm时，制得的Sm(Co,Al,Si)5/Cr薄膜的矫顽力Hc为187.8 kA/m，剩磁比S=Mr/Ms≈0.94; 在500 ℃ 保温25 min退火后，矫顽力Hc达1?042.5 kA/m，剩磁比S≈0.92,从而制成了较理想的硬磁薄膜.