【摘 要】
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多级磁自旋存储器(Multi一Level Cell Spin一Transfer Torque RAM,MLC STT一RAM)可在一个存储单元中存储多个比特位,有望取代SRAM用于构建大容量低功耗的最后一级Cache(Last Lev
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多级磁自旋存储器(Multi一Level Cell Spin一Transfer Torque RAM,MLC STT一RAM)可在一个存储单元中存储多个比特位,有望取代SRAM用于构建大容量低功耗的最后一级Cache(Last Level Cache,LLC)。MLC STT一RAM的静态功耗在理论上为0,且拥有高密度和优秀的读操作特性,但它的缺陷在于低效的写操作。针对这一问题,在MLC STT一RAM Cache hard/soft逻辑分区结构的基础上,实现了MLC STT一RAM LLC写操作密集度预
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