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进一步降低半导体桥（SCB）换能元件发火能量是微机电系统（MEMS）引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验，获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内获得最小全发火电压3．83V，发火能量0．073mJ，最大不发火电流229．88mA．分析发火现象和电特性曲线得出：SCB换能元的桥区面积7．65×102μm2，质量3．55×10-6mg，临界发火属于电热发火；桥区面积5．68×102μm2，质量