SiC MOS结构空间电荷区杂质离化的研究

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liuyu890501

【摘要】

：

在研究SiC MOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel-Pool效应,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型.基于对一维Poisson方程的求解,分析了场致离化对SiC

【作者】

：

尚也淳张义门张玉明

【机构】

：

西安电子科技大学微电子所

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

：

2001年5期

【关键词】

：

碳化硅杂质离化空间电荷区 MOS结构 ImpuritiesIonizationNumerical analysisPoisson distributionS

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在研究SiC MOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel-Pool效应,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型.基于对一维Poisson方程的求解,分析了场致离化对SiC MOS结构特性的影响,结果表明,电场的作用会提高SiC中杂质离化浓度,使析冻效应减弱,并最终导致SiC MOS器件特性发生变化.

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