【摘 要】
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采用分子束外延制备了PbSe与MoSe2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性。使用1300nm红外光源照射,在零偏压和-
【机 构】
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电子科技大学电子科学与工程学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(61875029)
论文部分内容阅读
采用分子束外延制备了PbSe与MoSe2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性。使用1300nm红外光源照射,在零偏压和-5V偏压加载下,所研制异质结光敏二极管的探测率分别为5×10^9cm·Hz^1/2·W^-1和2.9×10^11cm·Hz^1/2·W^-1,显示出优异的光电响应特性。尤其在负偏压工作模式下,由于器件处于关断状态,具有更低的暗电流,因此,具有更高的光/
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