【摘 要】
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本文把同分异构体3,3\'-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl(mCBP)和4,4\'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)作为给体,PO-T2T作为受体,以质量比1:1制备了两种激基复合物器件,并在不同温度和偏压下测量了器件的发光磁效应(magneto-electroluminescence,MEL).发现室温下mCBP为给体的器件,其MEL的低磁场部分表现出反向系间窜越(reverse intersystem crossing,RISC)过程,降
【机 构】
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西南大学物理科学与技术学院, 微纳结构光电子学重庆市重点实验室, 重庆 400715
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本文把同分异构体3,3\'-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl(mCBP)和4,4\'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)作为给体,PO-T2T作为受体,以质量比1:1制备了两种激基复合物器件,并在不同温度和偏压下测量了器件的发光磁效应(magneto-electroluminescence,MEL).发现室温下mCBP为给体的器件,其MEL的低磁场部分表现出反向系间窜越(reverse intersystem crossing,RISC)过程,降温时该RISC转变为系间窜越(intersystem crossing,ISC)过程;而CBP为给体的器件则表现出ISC过程,且降温时ISC过程先减弱后增强.室温下两种器件MEL的高磁场部分都体现为三重态激子与电荷的猝灭,但在20 K下CBP为给体的器件还出现了三重态-三重态激子湮灭.两种完全相反的低磁场线型与mCBP和CBP不同的结构导致三重态激子能量的高低有关.低温下微观过程的改变是因为低温不利于RISC过程、ISC过程和能量损失等演化通道.此外,当mCBP:PO-T2T质量比从1:4到1:1再到4:1时,器件中的RISC过程越来越强,这是由于器件更趋平衡有利于RISC过程的结果.当以两种激基复合物为主体掺入TBRb荧光客体材料,在mCBP:PO-T2T为主体的器件中得到了更高的外量子效率.本工作为制备高效率激基复合物发光器件提供了实验和理论参考.
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