Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：AJGSUN

【摘要】

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利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温

【作者】

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杨鸿斌樊永良

【机构】

：

复旦大学应用表面物理国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

SIGE 应变弛豫位错

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利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变弛豫的影响.结果表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的形成和传播,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.

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