超薄SiO2栅相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

超薄SiO2栅相关论文

氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响

P^+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化，在多晶硅栅内注入N^+的工艺可抑制硼扩散，制备出栅介质厚度为4.6nm......

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氮注入多晶硅超薄SiO2栅介质性能栅介质硼扩散 CMOS gate oxidenitrogen implantationboron penetrati

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