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Cu2SnSe3是一种不含稀贵或有毒元素的新型热电材料，具有较低的热导率和较高的电导率，通过掺杂可大大提高Cu2SnSe3的热电优值，使其有望在中温区附近得到应用。通过燃烧合成直接一步制备出致密的Cu2SnSe3块体材料，其相对密度在96%以上，最大热电优值为0.48，与传统烧结工艺制备的样品性能相当，整个反应过程在数分钟内即迅速完成，从而极大的简化了合成工艺。为进一步提高Cu2SnSe3材料的热电性能，本文利用燃烧合成方法制备多晶块体材料，采用S、Te两种元素对Cu2SnSe3进行掺杂，系统研究了掺杂对