【摘 要】
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利用离子束增强沉积(IBED)法成功地在Si(100)衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜.XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在
【机 构】
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同济大学材料学院微电子所,同济大学材料学院微电子所,中国科学院上海冶金所
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利用离子束增强沉积(IBED)法成功地在Si(100)衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜.XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在0.05 nm/s及0.10nm/s的蒸发速率下制得的薄膜N/A1分别为0.402:1和0.250:1.SRP测试结果表明,随着Al蒸发速率的提高,表面电阻下降,并且在0.05 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密,表面电阻高于108 Ω,绝缘性能良好,而当蒸发速率≥0.25 nm/s时,薄膜绝缘性能迅速下降.AF
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