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在SiO2／Si衬底上面，利用射频磁控溅射方法，在不同的工艺条件下生长ZnO薄膜，然后进行热处理（600-1000℃退火）。研究了氩氧比和退火温度对薄膜结晶性能的影响。薄膜的表面结构和晶体特性通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）来进行表征．结果表明：所制备的薄膜为多晶纤锌矿结构，具有垂直于衬底的c轴（002）方向的择优取向性。热处理可使ZnO（002）衍射峰相对强度增强，半峰全宽（FWHM）变小，即退火使c轴生长的薄膜取向性增强。未经退火的ZnO薄膜存在张应力，经过热处理后应力发生改变，最后