论文部分内容阅读
介绍了一种采用ICP干法刻蚀技术制备的槽栅常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）。采用原子层淀积（ALD）实现40 nm的Al2O3栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.3 V。在栅压Vgs=+10 V时，槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT饱和电流为0.71 A，特征导通电阻为5.73 mΩ·cm2。在栅压Vgs=0 V时，器件的击穿电压为400 V，关断漏电流为320μA。器件的开启与关断电流比超过了1