SIMOX技术的现状

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chjl0620

【摘要】

：

本文描述了在埋层氧化物上制备超薄Si膜的离子注入技术,并概述了这种优质材料在器件设计中的应用。 This article describes ion implantation techniques for the fabricat

【作者】

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Michael A.Guerra 李乾树

【出处】

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微电子学

【发表日期】

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1991年04期

【关键词】

：

离子注入技术埋层优质材料电路设计者 SIMOX 夹层结构材料沟道效应缺陷密度离子注入机存取时间

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本文描述了在埋层氧化物上制备超薄Si膜的离子注入技术,并概述了这种优质材料在器件设计中的应用。 This article describes ion implantation techniques for the fabrication of ultrathin Si films on buried oxide and outlines the application of this high quality material in device design.

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