As_(Hg)与V_(Hg)在碲镉汞中掺杂行为第一性原理研究

来源 :中国科学:物理学 力学 天文学 | 被引量 : 4次 | 上传用户:upskycx
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对碲镉汞材料中两种点缺陷Hg空位(VHg),As代Hg位(AsHg)及其复合缺陷(AsHg-VHg,AsHg-2VHg)进行了系统的研究,获得缺陷形成能随费米能级的变化,结合结构与电子特性分析讨论了这些缺陷在As掺杂HgCdTe中的自补偿效应和p型激活途径.
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