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从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅＨＢＴ电流传输模型。
超薄基区SiGeHBT电流传输模型
【摘 要】
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从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅＨＢＴ电流传输模型。
【机 构】
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东南大学无锡应用科学与工程研究院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年1期
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