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研究了Si衬底AlGaN／GaN异质结构场效应晶体管（HFETs）器件尺寸参数，包括源（漏）极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此，在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40mm的原型AlGaN／GaN HFETs，其输出电流约为20A，导通电阻为0．4Ω（比导通电阻8．29mΩ·cm2）。