高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件

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【摘要】

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在国内首次将等效氧化层厚度为1.7nm的N／O叠层栅介质技术与W／TiN金属栅电极技术结合起来，用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备．为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力，采用的关

【作者】

：

钟兴华周华杰林钢徐秋霞

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

等效氧化层厚度氮氧叠层栅介质 W/TiN金属栅非CMP平坦化 equivalent oxide thickness nitride/oxynitride

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在国内首次将等效氧化层厚度为1.7nm的N／O叠层栅介质技术与W／TiN金属栅电极技术结合起来，用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备．为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力，采用的关键技术主要包括：1.7nmN／O叠层栅介质，非CMP平坦化技术，T型难熔W／TiN金属叠层栅电极，新型重离子超陡倒掺杂沟道剖面技术以及双侧墙技术．成功地制备了具有良好的短沟道效应抑制能力和驱动能力的栅长为95nm的金属栅CMOS器件．在VDS=±1．5V，VGS=±1．8V下，nMOS和pMOS的饱

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