BN（110）弛豫表面电子结构的理论研究

来源 :河南教育学院学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zuomingyu6

【摘要】

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本文利用形式散射理论的格林函数方法,采用考虑最紧邻的sp3s*模型描述体带,计算了BN(110)面的电子结构.分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度,并进

【作者】

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徐小树王玉仓魏英耐姚乾凯马丙现贾瑜胡行

【机构】

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河南教育学院物理系,河南省南阳第四师范学校,郑州大学物理工程学院物理系

【出处】

：

河南教育学院学报：自然科学版

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

散射理论 BN(110)面反常弛豫投影带结构层态密度半导体电子结构 tightbinding model scatteringtheoretic me

【基金项目】

：

河南省教委自然科学基金

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本文利用形式散射理论的格林函数方法,采用考虑最紧邻的sp3s*模型描述体带,计算了BN(110)面的电子结构.分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度,并进行了较详细的讨论.结果表明:BN(110)面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的(110)面的电子结构定性上是类似的.但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别.这与它的反常弛豫有一定的关系.

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