BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究

来源 :河南教育学院学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zuomingyu6
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文利用形式散射理论的格林函数方法,采用考虑最紧邻的sp3s*模型描述体带,计算了BN(110)面的电子结构.分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度,并进行了较详细的讨论.结果表明:BN(110)面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的(110)面的电子结构定性上是类似的.但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别.这与它的反常弛豫有一定的关系.
其他文献
我国著名教育家陶行知先生说得好:"处处是创造之地,天天是创造之时,人人是创造之人."我制作的"磁控塑料袋封口机"就是生活给我的启示,以及在老师的指导和社会的支持下创作成
期刊
在中美洲的一片热带森林中,夕阳正在下落.林中空地上,一只模样像猪的西貒在泥土中翻找食物,它丝毫没有觉察到自己已被暗中盯上了--被森林里的一个夜间盯梢者盯上了.美洲虎有
期刊
本文根据物理教学的特点和中学生所具有的潜能,从不同方面,不同角度提出了培养学生创新精神的方法和途径,为推进中学素质教育进行了有益的探索.
CCED2000具有体积小(1.26MB)、功能强大、易用的特点,深受广大用户的喜爱,现总结其使用技巧几则.
期刊
本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3模型描述,表面电子结构通过