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目的研究电磁辐射后小鼠海马脑区基因表达的变化与神经损伤效应的关系.方法应用cDNA微阵列技术观察电磁辐射后小鼠海马神经细胞基因表达谱的差异,并分析筛选出差异表达基因.结果电磁辐射后即刻小鼠海马神经细胞出现5个上调表达基因.而辐照后24 h差异表达基因增加为30个,其中上调表达基因为6个,下调表达基因为24个.差异表达基因主要包括应激蛋白、细胞凋亡相关蛋白、信号转导调控因子及效应子、DNA损伤与修复蛋白、转录因子、受体、细胞粘附分子、细胞因子等多种基因.结论电磁辐射可使小鼠海马脑区多个基因出现差异表达,且这