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根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.
等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究
【摘 要】
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根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致
【机 构】
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上海科学技术大学分部,上海科学技术大学,上海无线电十七厂
【出 处】
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应用科学学报
【发表日期】
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1990年3期
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