【摘 要】
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利用自行研制的InGaN/GaN SQW蓝光LED 芯片和YAG:Ge3+荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3),并对其发光强度、色度坐标、I-V、色温及显色性等特性进行了研究.实验结果表明:室温下,
【机 构】
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北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心
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利用自行研制的InGaN/GaN SQW蓝光LED 芯片和YAG:Ge3+荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3),并对其发光强度、色度坐标、I-V、色温及显色性等特性进行了研究.实验结果表明:室温下,正向电流为20mA时,白光LED的轴向发光强度为1.1～2.3cd,正向电压小于3.5V,色度坐标为(0.28,0.34),显色指数约为70.
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