【摘 要】
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为探究高温条件下介质阻挡放电特性,采用氮化硅陶瓷为绝缘介质的同轴管式结构研制了一套可在800℃高温下运行的DBD放电系统,研究了在氮气气氛中不同温度条件下的DBD放电性能.
【机 构】
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浙江大学化学工程与生物工程学院,浙江杭州,310028;山东工业陶瓷研究设计院新材料事业部,山东淄博,255031
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为探究高温条件下介质阻挡放电特性,采用氮化硅陶瓷为绝缘介质的同轴管式结构研制了一套可在800℃高温下运行的DBD放电系统,研究了在氮气气氛中不同温度条件下的DBD放电性能.结果 表明,研制的DBD系统可在室温到800℃范围内实现稳定放电.随着电压逐步提升,内电极附近区域最先发生细丝放电,强度优于外电极;随着温度的升高,放电逐步变得均匀;在维持外加电压不变时升高温度,有效电流和放电功率显著增大;高温环境DBD性能稳定,600℃时系统运行lh后能量变化方差仅为0.81.
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